Начни сначала

На прошедшей в Пекине конференции JEDEX были представлены первые черновые спецификации памяти DDR-III SDRAM

На завершившейся на прошлой неделе выставке JEDEX были представлены первые спецификации нового стандарта памяти для персональных компьютеров DDR-III SDRAM. Предполагается, что данная память будет иметь вдвое более высокую производительность, нежели DDR-II. Пропускная способность DDR-III SDRAM на первом этапе составит 800 Мбит/с, затем этот показатель будет увеличен практически в два раза и достигнет отметки 1,5 Гбит/с. Что касается энергопотребления, то оно составит 1,2 В или 1,5 В, то есть будет значительно ниже энергопотребления широко распространенной сегодня памяти DDR (2,5 В) и немногим ниже энергопотребления DDR-II (1,8 В). Первые чипы, образцы которых могут появиться уже к 2005 году, по всей видимости, будут иметь емкость до 4 Гбит. Однако, массовое производство памяти DDR-III SDRAM не начнется раньше 2007 года.

Стоит также отметить, что на конференции JEDEX шла речь и о другом стандарте памяти для ПК - DDR-II. В частности, к 2005 году на рынке должны появиться первые модули емкостью 2 Гбит. Более того, количество банков памяти для 1 Гбит чипов будет удвоено и составит восемь. По словам представителя компании Infineon Technologies Дэвида Чена (David Chan), все модули DDR-II будут выпускаться в корпусах BGA, что связано с их меньшим форм-фактором.