90 нанометров от Intel

Корпорация Intel заявила о своем намерении в будущем году перейти на новый технологический процесс.

Закон Мура гласит: «Каждые два года производительность компьютерных процессоров удваивается». И в подтверждение этих слов корпорация Intel на днях объявила о своем намерении внедрить в массовое производство 90-нанометровый технологический процесс. Как ожидается, сразу после этого появятся и новые чипы с увеличенными тактовыми частотами и пониженным энергопотреблением.

Новый технологический процесс позволит интегрировать на кристалл микропроцессора более производительные транзисторы, имеющие к тому же меньшие размеры и, соответственно, более низкое энергопотребление: так, длина затвора транзисторов составит всего пятьдесят нанометров, тогда как толщина оксидного слоя затвора будет лежать на уровне 1,2 нанометра, что соответствует пяти атомарным слоям. В то же время будет реализована технология так называемого напряженного кремния, что обеспечит более свободное протекание тока, а также будут использоваться медные соединения с высоко пропускной способностью.

Таким образом, новый процесс подразумевает использование самых маленьких и быстродействующих транзисторов – к примеру, при производстве чипов Intel Pentium 4 используются транзисторы с затвором длиной 60 нанометров.

Как ожидается, вышеописанная система будет реализована на практике уже в следующем году.

http://www.intel.com/research/silicon/90nm_Press_Release.doc