"Мы рождены, чтоб сказку сделать былью", или Что предстоит сделать, чтобы EUV-технология стала массовой. Мнение Intel.

По информации Silicon Strategies, представители одной французской научно-исследовательской компании сообщили о планах сотрудничества с группой немецких и голландских исследователей по вопросам развития технологии жесткого ультрафиолета (EUV) и ее применения в литографии нового поколения (NGL). Объединенная группа ученых разработает не только экспозиционную EUV-систему, но и EUV-фотомаски, лазерные источники, метрологические инструменты. Действующий EUV-продукт планируют представить к концу 2003-го - началу 2004-го года. С голландско-немецкой стороны группу представляют компании ASML, Carl Zeiss, Sagem, и Xenocs, с французской - Leti и Sopra. В ходе разработок ASML будет обеспечивать архитектуру систем, метрологические системы, ПО. Компания Zeiss займется дизайном оптики, в то время, как Sagem разработает альтернативные оптические устройства и технологию крепления зеркал. Аналитики сообщают, что два независимых EUV-устройства разрабатываются в Японии компаниями Canon и Nikon.

Мы обратились за комментарием в корпорацию Intel, которая ведет аналогичные разработки. На наши вопросы ответил Всеволод Предтеченский, ведущий специалист московского представительства Intel по продукции.

Алена Кухарева: В чем уникальность EUV-литографии, и каковы перспективы ее применения?

Всеволод Предтеченский: Литография — это технология нанесения проводников на кремниевую подложку. Процесс похож на печать фотографий. Литография с использованием EUV (Extreme Ultra Violet) в будущем позволит производителям микросхем формировать на подложке элементы очень малых размеров, недостижимых ранее - 0,07 мкм (70 нм) и менее. Вакуумная ультрафиолетовая литография сделает возможным создание в течение ближайших пяти лет процессоров с тактовой частотой 10 ГГц, благодаря чему индустрия полупроводников и дальше сможет придерживаться закона Мура, в соответствии с которым число транзисторов на кремниевой пластине удваивается каждые два года.

А.К.: В чем заключается опыт Intel в этой области?

В.П.: В 1996 г. корпорация Intel начала финансирование исследований EUV, а в 1997 г. вместе с компаниями Motorola и Advanced Micro Devices организовала консорциум EUV LLC (Limited Liability Company), который впоследствии участвовал в создании прототипа первой установки для производства компьютерных чипов с использованием вакуумного ультрафиолетового излучения (EUV). Позже к консорциуму присоединились Micron Technology, Infineon Technologies и International Business Machines.

А.К.: Что представлял собой созданный прототип?

В.П.: Прототип EUV-машины, так называемый экспериментальный тестовый стенд Engineering Test Stand (ETS), был создан в 2001 году. Он позволил применить EUV-литографию на практике. Этот процесс происходит в вакууме с использованием полученной с помощью лазера плазмы для генерации не видимого человеческим глазом излучения, а также сложной системы зеркал, исполняющих роль линз для проецирования трафарета компьютерного чипа на кремниевую подложку.

А.К.: Какие разработки необходимы для того, чтобы EUV-технологию сделать доступной для использования в массовом производстве?

В.П.: Необходимо разработать механизм, способный захватывать невидимый свет, длина волны которого настолько коротка, что он поглощается практически всеми материалами (он будет воспроизводить тончайшие линии размером порядка 50-100 нм в процессе изготовления микросхемы). Необходимо создать платформы для совмещения картинок на различных этапах изготовления микросхемы — удерживаемые в воздухе магнитом, они должны скользить без трения с точностью, измеряемой в нанометрах; движение должно быть невероятно ровным, как если бы было необходимо прямо проехать 600 км по гладкой поверхности, отклоняясь при этом в стороны не более чем на один дюйм. Предстоит изготовить систему зеркал для уменьшения картинки, которая должна быть напечатана на кремниевой подложке, это означает создание криволинейных поверхностей, гладкость которых может варьироваться в пределах атома — этого особенно трудно добиться для несферических зеркал. Эти зеркала должны быть покрыты 40 слоями чередующихся материалов толщиной в несколько атомов. Для печати схем должны использоваться настолько бездефектные маски, что вероятность обнаружения изъяна должна равняться вероятности нахождения мячика для гольфа на поле размером с Род-Айленд (3200 км2). Необходимы новые средства контроля, которые должны обеспечивать такую же чистоту вакуума, как в межпланетном пространстве.